BU126A
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BU126A
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 30
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 700
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 250
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0
Courant collecteur maximal (Ic): 3
Température maximale de jonction (Tj), °C: 125
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 4
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 15
Boitier: TO3
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) BU126A
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 | Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
BU126
DESCRIPTION Ў¤ With TO-3 package Ў¤ High breakdown voltage APPLICATIONS Ў¤ For voltage regulator ,inverter,switching mode power supply applications
PINNING(see fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION
Ў¤
Absolute maximum ratings(Ta=Ўж )
SYMBOL VCBO VCEO IC ICM IB PT Tj Tstg
PARAMETER
CONDITIONS Open emitter
Collector-base voltage
CHA IN
Collector current Base current Junction temperature Storage temperature
Collector-emitter voltage
GE S N
Open base
EMIC
OND
TOR UC
VALUE 750 300 3.0 6.0 2.0
UNIT V V A A A W Ўж Ўж
Collector current-peak
Total power dissipation
TC=25Ўж
40 125 -65~125
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance junction to case MAX 2.5 UNIT K/W
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