2N329
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N329
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.33
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 30
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 20
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0
Courant collecteur maximal (Ic): 0.05
Température maximale de jonction (Tj), °C: 160
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 0.2
Capacite collecteur (Cc), pF: 120
Gain en courant DC hFE (hfe): 50
Boitier: TO5
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