CDT1315
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: CDT1315
Matériau utilisé: Ge
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 45
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 100
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 80
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 2
Courant collecteur maximal (Ic): 8
Température maximale de jonction (Tj), °C: 100
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 2
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 40
Boitier: TO3
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