ED8050C - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: ED8050C

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.3

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 30

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 20

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5

Courant collecteur maximal (Ic): 1.5

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 100

Capacite collecteur (Cc), pF: 1.7

Gain en courant DC hFE (hfe): 120

Boitier: TO92

Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor ED8050C )

ED8050C - Fiche technique PDF, Datasheet

Impossible de lire les fichiers pdf‎!

D'autres types de transistors... ED1802 , ED1802K , ED1802L , ED1802M , ED1802N , ED2502 , ED592 , ED8050 , BC550 , ED8550 , ED8550C , EFT212 , EFT213 , EFT214 , EFT250 , EFT306 , EFT307 .