FZT857
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: FZT857
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 3
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 350
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 300
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 6
Courant collecteur maximal (Ic): 4
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 80
Capacite collecteur (Cc), pF: 11
Gain en courant DC hFE (hfe): 100
Boitier: TO236
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor FZT857
) FZT857
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. fzt857.pdf  Size:40K _diodes 5.1. fzt851_fzt853.pdf Size:59K _diodes  |
 | Typical Gain
h
FE
- Normalised Gain
V
BE
- (Volts)
V
BE(sat)
- (Volts)
I
C
- Collector Current (A)
|
5.2. fzt855.pdf Size:170K _diodes D'autres types de transistors... FZT790A
, FZT792A
, FZT795A
, FZT796A
, FZT849
, FZT851
, FZT853
, FZT855
, BC639
, FZT869
, FZT948
, FZT949
, FZT951
, FZT953
, FZT955
, FZT956
, FZT957
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