GD170A
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: GD170A
Matériau utilisé: Ge
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 5.3
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 33
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 20
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 12
Courant collecteur maximal (Ic): 3
Température maximale de jonction (Tj), °C: 90
Fréquence maximale de fonctionnement fT:
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 40
Boitier: TO3
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) GD170A
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. gd160_gd170_gd175_gd180_gd240_gd241_gd242_gd243_gd244.pdf  Size:327K _gdr D'autres types de transistors... GD150
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