2N3734S
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N3734S
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 50
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 30
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 1.5
Température maximale de jonction (Tj), °C: 175
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 300
Capacite collecteur (Cc), pF: 9
Gain en courant DC hFE (hfe): 30
Boitier: TO5
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2N3734S
) 2N3734S
- Fiche technique PDF, Datasheet
4.1. 2n3734.pdf  Size:11K _semelab 5.1. 2n373_2n374_2n456_2n457_2n497_2n544_2n561_2n578_2n579_2n580.pdf Size:317K _rca 5.2. 2n3738.pdf Size:17K _semelab  |
 | semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk Issue 1
|
5.3. 2n3375_2n3632_2n3733.pdf Size:609K _microsemi 5.4. 2n3737.pdf Size:210K _semicoa  |
 | olts, IC = 50 mA,
|hFE| 2.5 6.0
Circuit Forward Current Transfer Ratio f = 100 MHz
VCB = 10 Volts, IE = 0 mA,
pF
Open Circuit Output Capacitance COBO 9
100 kHZ < f < 1 MHz
VEB = 0.5 Volts, IC = 0 mA,
pF
Open Circuit Input Capacitance CIBO 80
100 kHZ < f < 1 MHz
Switching Characteristics
Delay Time td VBE = 2 Volts, IC = 1 A, 8
ns
Rise Time tr IB = 100 mA 40
ns
Saturated Turn-Off Time tOFF IC = 1 A, IB1=IB2=100 mA 60
Copyright© 2002 Semicoa Semiconductors, Inc.
Re |
D'autres types de transistors... 2N373
, 2N3730
, 2N3731
, 2N3732
, 2N3733
, 2N373-33
, 2N3734
, 2N3734A
, 2N3053
, 2N3735
, 2N3735S
, 2N3736
, 2N3736A
, 2N3737
, 2N3737A
, 2N3738
, 2N3739
.
|
