GES2906
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: GES2906
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.4
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 60
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 40
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 0.6
Température maximale de jonction (Tj), °C: 200
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 200
Capacite collecteur (Cc), pF: 8
Gain en courant DC hFE (hfe): 40
Boitier: TO236
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