2N3739
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N3739
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 20
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 325
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 300
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 7
Courant collecteur maximal (Ic): 3
Température maximale de jonction (Tj), °C: 175
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 10
Capacite collecteur (Cc), pF: 20
Gain en courant DC hFE (hfe): 40
Boitier: TO66
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2N3739
) 2N3739
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. 2n373_2n374_2n456_2n457_2n497_2n544_2n561_2n578_2n579_2n580.pdf  Size:317K _rca 5.2. 2n3738.pdf Size:17K _semelab  |
 | semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk Issue 1
|
5.3. 2n3734.pdf Size:11K _semelab 5.4. 2n3375_2n3632_2n3733.pdf Size:609K _microsemi 5.5. 2n3737.pdf Size:210K _semicoa  |
 | olts, IC = 50 mA,
|hFE| 2.5 6.0
Circuit Forward Current Transfer Ratio f = 100 MHz
VCB = 10 Volts, IE = 0 mA,
pF
Open Circuit Output Capacitance COBO 9
100 kHZ < f < 1 MHz
VEB = 0.5 Volts, IC = 0 mA,
pF
Open Circuit Input Capacitance CIBO 80
100 kHZ < f < 1 MHz
Switching Characteristics
Delay Time td VBE = 2 Volts, IC = 1 A, 8
ns
Rise Time tr IB = 100 mA 40
ns
Saturated Turn-Off Time tOFF IC = 1 A, IB1=IB2=100 mA 60
Copyright© 2002 Semicoa Semiconductors, Inc.
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