GF505
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: GF505
Matériau utilisé: Ge
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.06
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 20
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 15
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 2
Courant collecteur maximal (Ic): 0.01
Température maximale de jonction (Tj), °C: 75
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 170
Capacite collecteur (Cc), pF: 3
Gain en courant DC hFE (hfe): 40
Boitier: TO72
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- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. 101nu70-71_102nu70-71_103nu70-71_104nu70-71_105nu70-71_106nu70-71_107nu70-71_gc507_gc508_gc509_gc515_gc516_gc517_gc518_gc519_gf505_gf506_gf507_af106_af109r_af239_af139.pdf  Size:166K _tesla D'autres types de transistors... GF146
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