KT639G
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: KT639G
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 60
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 60
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 1.5
Température maximale de jonction (Tj), °C: 200
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 80
Capacite collecteur (Cc), pF: 50
Gain en courant DC hFE (hfe): 40
Boitier:
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