KTB778
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: KTB778
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 80
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 0
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 120
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0
Courant collecteur maximal (Ic): 10
Température maximale de jonction (Tj), °C: 175
Fréquence maximale de fonctionnement fT:
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 55
Boitier: TO3P
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor KTB778
) KTB778
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. ktb778.pdf  Size:53K _kec 5.1. ktb772.pdf Size:396K _kec  |
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CASE TEMPERATURE Ta ( C) CASE TEMPERATURE Ta ( C)
2003. 7. 24 Revision No : 4 3/3
C
C
DERATING dT(%), I
POWER DISSIPATION P
(W)
S/b LIMITED
DISSIPATION LIMITED
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