ME4102
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: ME4102
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.2
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 60
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 45
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 0.03
Température maximale de jonction (Tj), °C: 165
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 150
Capacite collecteur (Cc), pF: 7
Gain en courant DC hFE (hfe): 200
Boitier: TO106
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor ME4102
) ME4102
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. fdme410nzt.pdf  Size:299K _fairchild_semi  |
 | l Time 3.2 10 ns
Qg Total Gate Charge 9.2 13 nC
VDD = 10 V, ID = 7 A
Qgs Gate to Source Gate Charge 1.1 nC
VGS = 4.5 V
Qgd Gate to Drain “Miller” Charge 1.6 nC
Drain-Source Diode Characteristics
VSD Source to Drain Diode Forward Voltage VGS = 0 V, IS = 1.6 A (Note 2) 0.7 1.2 V
trr Reverse Recovery Time 15 27 ns
IF = 7 A, di/dt = 100 A/µs
Qrr Reverse Recovery Charge 3.5 10 nC
Notes:
1. R?JA is determined with the device mounted on a 1 in2 pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board |
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