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MJ9000
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: MJ9000
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 125
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 700
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 325
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 10
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT:
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 4
Boitier: TO3
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor MJ9000
) MJ9000
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. mj900-mj901-mj1000-mj1001.pdf  Size:170K _comset  |
 | ,18
D 17,25 0,68
E 10,89 0,43
G 11,62 0,46
H 8,54 0,34
L 1,55 0,6
M 19,47 0,77
N 1 0,04
P 4,06 0,16
Pin 1 : Base
Pin 2 : Emitter
Case : Collector
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5.2. mj900-mj901-mj1000-mj1001-1.pdf Size:207K _comset  |
 | se : Collector
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4/4 COMSET Semiconductors
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5.3. mj900.pdf Size:199K _inchange_semiconductor D'autres types de transistors... MJ8400
, MJ8500
, MJ8501
, MJ8502
, MJ8503
, MJ8504
, MJ8505
, MJ900
, BC517
, MJ901
, MJ920
, MJ921
, MJD112
, MJD112-1
, MJD112T4
, MJD117
, MJD117-1
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