MJD122
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: MJD122
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 20
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 100
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 100
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 8
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 4
Capacite collecteur (Cc), pF: 200
Gain en courant DC hFE (hfe): 6000
Boitier: TO251
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor MJD122
) MJD122
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. mjd122re_mjd127.pdf Size:284K _motorola |
| IIIII
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIII III
IIII III
IIII III
Characteristic Symbol Max Unit
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIIIIIIIIIIII IIIIII
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Thermal Resistance, Junction to Case R?JC 6.25 _C/W
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IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII
IIII III
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Thermal Resistance, Junction to Ambient* R?JA 71.4 _C/W
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IIII III
IIIIIIIIIIIII IIII III
IIII III |
1.2. mjd122_mjd127.pdf Size:93K _st |
| .260
G 4.4 4.6 0.173 0.181
H 9.35 10.1 0.368 0.397
L2 0.8 0.031
L4 0.6 1 0.023 0.039
H
DETAIL ”A”
D
L2
DETAIL ”A”
L4
0068772-B
5/6
A
C2
A1
C
A2
B
2
3
E
G
B2
==
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==
1
MJD122 MJD127
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1.3. mjd122.pdf Size:163K _lge 1.4. mjd122.pdf Size:664K _wietron D'autres types de transistors... MJ920
, MJ921
, MJD112
, MJD112-1
, MJD112T4
, MJD117
, MJD117-1
, MJD117T4
, 100DA025D
, MJD122-1
, MJD122T4
, MJD127
, MJD127-1
, MJD127T4
, MJD13003
, MJD148
, MJD200
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