2N450
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N450
Matériau utilisé: Ge
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.15
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 20
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 12
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 10
Courant collecteur maximal (Ic): 0.125
Température maximale de jonction (Tj), °C: 85
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 4
Capacite collecteur (Cc), pF: 20
Gain en courant DC hFE (hfe): 30
Boitier: TO5
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