2N111A
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N111A
Matériau utilisé: Ge
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.13
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 30
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 15
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 20
Courant collecteur maximal (Ic): 0.2
Température maximale de jonction (Tj), °C: 85
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 1
Capacite collecteur (Cc), pF: 24
Gain en courant DC hFE (hfe): 25
Boitier: TO22
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2N111A
) 2N111A
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. fdfm2n111.pdf  Size:289K _fairchild_semi  |
 | - 11 20 ns
tf Turn-Off Fall Time - 1.7 3.4 ns
Qg Total Gate Charge - 2.7 3.8 nC
VDS = 10V, ID = 4.0A,
Qgs Gate-Source Charge - 0.6 - nC
VGS = 4.5V
Qgd Gate-Drain Charge - 0.9 - nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
IS Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current - - 1.4 A
VSD Drain-Source Diode Forward Voltage VGS = 0V, IS = 1.4 A (Note 2) - 0.8 -1.2 V
trr Diode Reverse Recovery Time - 11 - ns
IF= 4.0A, dIF/dt=100A/µs
Qrr Diode Reverse Recovery Charge - |
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