MPS835 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: MPS835

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.35

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 25

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 20

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 3

Courant collecteur maximal (Ic): 0

Température maximale de jonction (Tj), °C: 135

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 300

Capacite collecteur (Cc), pF: 4

Gain en courant DC hFE (hfe): 20

Boitier: TO92

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MPS835 - Fiche technique PDF, Datasheet

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