NA32Z - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: NA32Z

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.75

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 35

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 30

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5

Courant collecteur maximal (Ic): 2

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 20

Capacite collecteur (Cc), pF: 20

Gain en courant DC hFE (hfe): 68

Boitier: TO237

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NA32Z - Fiche technique PDF, Datasheet

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