2N5015S
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N5015S
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 2
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 1000
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 1000
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 0.5
Température maximale de jonction (Tj), °C: 200
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 120
Capacite collecteur (Cc), pF: 30
Gain en courant DC hFE (hfe): 30
Boitier: TO39
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) 2N5015S
- Fiche technique PDF, Datasheet
4.1. 2n5015.pdf  Size:11K _semelab 4.2. 2n5013_2n5014_2n5015.pdf Size:89K _ssdi 5.1. 2n5013.pdf Size:11K _semelab 5.2. 2n5011.pdf Size:11K _semelab 5.3. 2n5012.pdf Size:11K _semelab 5.4. 2n5014.pdf Size:15K _semelab 5.5. 2n5018.pdf Size:263K _linear-systems  |
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