2N501A
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N501A
Matériau utilisé: Ge
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.06
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 15
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 12
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 2
Courant collecteur maximal (Ic): 0.05
Température maximale de jonction (Tj), °C: 85
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 80
Capacite collecteur (Cc), pF: 3
Gain en courant DC hFE (hfe): 95
Boitier: TO1
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2N501A
) 2N501A
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. 2n5015.pdf  Size:11K _semelab 5.2. 2n5013.pdf Size:11K _semelab 5.3. 2n5011.pdf Size:11K _semelab 5.4. 2n5012.pdf Size:11K _semelab 5.5. 2n5014.pdf Size:15K _semelab 5.6. 2n5018.pdf Size:263K _linear-systems  |
 | • Fax: 510 353-0261
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5.7. 2n5013_2n5014_2n5015.pdf Size:89K _ssdi D'autres types de transistors... 2N501-18
, 2N5012
, 2N5013
, 2N5014
, 2N5015
, 2N5015S
, 2N5016
, 2N5017
, BC107
, 2N502
, 2N5022
, 2N5023
, 2N5023S
, 2N5024
, 2N5025
, 2N5026
, 2N5027
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