NS475
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: NS475
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.36
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 40
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 30
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 0.5
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 250
Capacite collecteur (Cc), pF: 8
Gain en courant DC hFE (hfe): 60
Boitier: X55-1
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