PTB20159 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: PTB20159

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 25

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 55

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 30

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 4

Courant collecteur maximal (Ic): 0.6

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 850

Capacite collecteur (Cc), pF: 6.2

Gain en courant DC hFE (hfe): 30

Boitier: M118

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PTB20159 - Fiche technique PDF, Datasheet

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