2N5125 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: 2N5125

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.75

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 45

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 45

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 7

Courant collecteur maximal (Ic): 0.01

Température maximale de jonction (Tj), °C: 200

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 100

Capacite collecteur (Cc), pF: 0.8

Gain en courant DC hFE (hfe): 100

Boitier: R138

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2N5125 - Fiche technique PDF, Datasheet

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