TIXM13 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: TIXM13

Matériau utilisé: Ge

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.03

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 15

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 7

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0.3

Courant collecteur maximal (Ic): 0.03

Température maximale de jonction (Tj), °C: 80

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 1000

Capacite collecteur (Cc), pF: 1.4

Gain en courant DC hFE (hfe): 15

Boitier: X55

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TIXM13 - Fiche technique PDF, Datasheet

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