TN2369
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: TN2369
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.36
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 40
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 15
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 4
Courant collecteur maximal (Ic): 0.2
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 500
Capacite collecteur (Cc), pF: 4
Gain en courant DC hFE (hfe): 40
Boitier: TO226
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor TN2369
) TN2369
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. ktn2369s_as.pdf  Size:306K _kec 1.2. ktn2369_a.pdf Size:309K _kec  |
 | ER SATURATION
ob(pF)
ib(pF)
BE(sat)
VOLTAGE V (V)
BASE-EMITTER SATURATION
COLLECTOR INPUT CAPACITANCE C
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE C
C
C
P (W)
COLLECTOR CURRENT I (mA)
COLLECTOR POWER DISSIPATION
C
0
4
-
=
a
T
C
5
2
=
a
T
C
5
2
1
=
a
T
C
C
C
5
5
0
2
2
4
-
1
=
=
a
=
a
a
T
T
T
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1.3. ktn2369u_au.pdf Size:27K _kec D'autres types de transistors... TN2221A
, TN2221AR
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