TN5131 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: TN5131

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.2

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 20

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 15

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 3

Courant collecteur maximal (Ic): 0.2

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 100

Capacite collecteur (Cc), pF: 6

Gain en courant DC hFE (hfe): 30

Boitier: TO226

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TN5131 - Fiche technique PDF, Datasheet

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