TN5816
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: TN5816
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.5
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 50
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 40
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 0.75
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 120
Capacite collecteur (Cc), pF: 15
Gain en courant DC hFE (hfe): 100
Boitier: TO226
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