UMT3585
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: UMT3585
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 35
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 500
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 300
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 6
Courant collecteur maximal (Ic): 2
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 15
Capacite collecteur (Cc), pF: 120
Gain en courant DC hFE (hfe): 25
Boitier: TO220
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