BFG403W
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: BFG403W
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.016
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 10
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 4.5
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 1
Courant collecteur maximal (Ic): 0.0036
Température maximale de jonction (Tj), °C: 150
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 17000
Capacite collecteur (Cc), pF: 0.17
Gain en courant DC hFE (hfe): 50
Boitier: SOT343R
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor BFG403W
) BFG403W
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. bfg403w.pdf  Size:369K _philips  |
 | Fig.3 50 80 120
Cc collector capacitance IE =ie =0; VCB =2V; f =1MHz ? 170 ? fF
Ce emitter capacitance IC =ic =0; VEB = 0.5 V; f = 1 MHz ? 315 ? fF
Cre feedback capacitance IC =0; VCB = 2 V; f = 1 MHz; ? 20 ? fF
see Fig.4
fT transition frequency IC =3mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; ? 17 ? GHz
Tamb =25 ?C; see Fig.5
Gmax maximum power gain; note 1 IC =0.5mA; VCE = 1 V; f = 900 MHz; ? 20 ? dB
Tamb =25 ?C; see Figs 6 and 8
IC =3mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; ? 22 ? dB
Tamb =25 ?C; see Figs 7 and 8
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1.2. bfg403w_4.pdf Size:86K _philips  |
 | age IE = 2.5 µA; IC =0 1 - - V
ICBO collector-base leakage current IE = 0; VCB = 4.5 V - - 15 nA
hFE DC current gain IC = 3 mA; VCE = 2 V; see Fig.3 50 80 120
Cc collector capacitance IE =ie = 0; VCB =2V; f =1MHz - 170 - fF
Ce emitter capacitance IC =ic = 0; VEB = 0.5 V; f = 1 MHz - 315 - fF
Cre feedback capacitance IC = 0; VCB = 2 V; f = 1 MHz; - 20 - fF
see Fig.4
fT transition frequency IC = 3 mA; VCE = 2 V; f = 2 GHz; - 17 - GHz
Tamb =25 °C; see Fig.5
Gmax maximum power gain; note 1 |
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