50A02MH
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 50A02MH
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.6
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 0
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 50
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0
Courant collecteur maximal (Ic): 0.5
Température maximale de jonction (Tj), °C:
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 0
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 200
Boitier:
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 50A02MH
) 50A02MH
- Fiche technique PDF, Datasheet
5.1. 50a02ss.pdf  Size:29K _sanyo  |
 | ircuit. 30 ns
Storage Time tstg See specified Test Circuit. 170 ns
Fall Time tf See specified Test Circuit. 30 ns
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
OUTPUT
D.C.?1%
IB2
INPUT
VR RB
RL
50? + +
220µF 470µF
VBE=5V VCC= --25V
IC=20IB1= --20IB2= --200mA
IC -- VCE IC -- VBE
--500 --600
VCE= --2V
--450
--500
--400
--350
--400
--300
--250 --300
--200
--200
--150
--100
--100
--200µA
--50
IB=0
0 0
0 --100 --200 --300 --400 --500 --600 --700 --800 --900 --1000 0 --0.2 |
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, BC337-025
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