RN1114F
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: RN1114F
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 0
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 50
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0
Courant collecteur maximal (Ic): 0.1
Température maximale de jonction (Tj), °C:
Fréquence maximale de fonctionnement fT:
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 0
Boitier: SOT-490_SC-81_ESM
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor RN1114F
) RN1114F
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. rn1114ft_rn1118ft_100406.pdf  Size:187K _toshiba  |
 | ? ? 3.29 4.7 6.11 k?
RN1117FT ? 7.0 10.0 13.0
RN1118FT ? 32.9 47.0 61.1
RN1114FT ? ? 0.1 ?
RN1115FT ? ? 0.22 ?
Resistor ratio RN1116FT R1/R2 ? ? ? 0.47 ? ?
RN1117FT ? ? 2.13 ?
RN1118FT ? ? 4.7 ?
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RN1114FT~RN1118FT
RN1114FT IC - VI (ON) RN1115FT IC - VI (ON)
100 100
COMMON EMITTER COMMON EMITTER
VCE = 0.2V VCE = 0.2V
10 10
Ta = 100°C
Ta = 100°C
25
25
1 1
-25
-25
0.1 0.1
0.1 1 10 0.1 1 10
INPUT VOLTAGE VI (ON) (V) INPUT VOLTAGE VI (ON) (V)
? ?
RN1116 |
1.2. rn1114f_rn1118f_100406.pdf Size:209K _toshiba  |
 | RN1115F ? ? 0.22 ?
Resistor Ratio RN1116F R1/R2 ? ? ? 0.47 ? ?
RN1117F ? ? 2.13 ?
RN1118F ? ? 4.7 ?
2 2010-04-06
RN1114F~RN1118F
RN1114F IC - VI(ON) RN1115F IC - VI(ON)
100 100
COMMON EMITTER COMMON EMITTER
VCE = 0.2V VCE = 0.2V
10 10
Ta=100°C
Ta=100°C
25
25
1 1
-25
-25
0.1 0.1
0.1 1 10 0.1 1 10
INPUT VOLTAGE VI (ON) (V) INPUT VOLTAGE VI (ON) (V)
? ?
RN1116F IC - VI(ON)
RN1117F IC - VI(ON)
100
100
COMMON EMITTER
COMMON EMITTER
VCE = 0.2V
VCE = 0.2V
10
10
Ta |
4.1. rn1114mfv_rn1115mfv_rn1116mfv_rn1117mfv_rn1118mfv.pdf Size:174K _toshiba  |
 | 7MFV 0.3 ? 2.3
RN1118MFV 0.5 ? 5.7
RN1114MFV
Transition frequency fT ? VCE = 10V, IC = 5mA ? 250 ? MHz
to 1118MFV
RN1114MFV
Collector Output VCB = 10V, IE = 0,
Cob ? ? 3 ? pF
capacitance f = 1MHz
to 1118MFV
RN1114MFV 0.7 1.0 1.3
RN1115MFV 1.54 2.2 2.86
Input resistor R1 ? ? 3.29 4.7 6.11 k?
RN1116MFV
RN1117MFV 7 10 13
RN1118MFV 32.9 47 61.1
RN1114MFV ? 0.1 ?
RN1115MFV ? 0.22 ?
Resistor ratio R1/R2 ? ? ? 0.47 ?
RN1116MFV
RN1117MFV ? 2.13 ?
RN1118MFV ? 4.7 ?
|
4.2. rn1114-rn1118.pdf Size:160K _toshiba 4.3. rn1114_rn1118_100406.pdf Size:207K _toshiba  |
 | R1/R2 ? ? ? 0.47 ? ?
RN1117 ? ? 2.13 ?
RN1118 ? ? 4.7 ?
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RN1114~RN1118
IC - VI (ON) IC - VI (ON)
RN1114 RN1115
100 100
COMMON EMITTER COMMON EMITTER
VCE = 0.2V VCE = 0.2V
10 10
Ta = 100°C
Ta = 100°C
25
25
1 1
-25
-25
0.1 0.1
0.1 1 10 0.1 1 10
INPUT VOLTAGE VI (ON) (V) INPUT VOLTAGE VI (ON) (V)
? ?
IC - VI (ON)
IC - VI (ON)
RN1116
RN1117
100
100
COMMON EMITTER
COMMON EMITTER
VCE = 0.2V
VCE = 0.2V
10
10
Ta = 100°C
Ta = 100°C
25
25
1
1
-25
|
D'autres types de transistors... RN1112FS
, RN1112MFV
, RN1112
, RN1113ACT
, RN1113CT
, RN1113FS
, RN1113MFV
, RN1113
, 9014
, RN1114MFV
, RN1114
, RN1115F
, RN1115MFV
, RN1115
, RN1116FT
, RN1116MFV
, RN1116
.
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