2N616
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N616
Matériau utilisé: Ge
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.125
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 15
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 12
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 10
Courant collecteur maximal (Ic): 0.15
Température maximale de jonction (Tj), °C: 100
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 9
Capacite collecteur (Cc), pF: 56
Gain en courant DC hFE (hfe): 25
Boitier: TO5
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- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. 2n6166.pdf  Size:15K _advanced-semi D'autres types de transistors... 2N6131
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, 2N615
, P605
, 2N6166
, 2N617
, 2N6175
, 2N6176
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, 2N6178
, 2N6179
, 2N618
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