2N663 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: 2N663

Matériau utilisé: Ge

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 35

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 50

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 25

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 20

Courant collecteur maximal (Ic): 4

Température maximale de jonction (Tj), °C: 85

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 0.15

Capacite collecteur (Cc), pF:

Gain en courant DC hFE (hfe): 25

Boitier: TO3

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2N663 - Fiche technique PDF, Datasheet

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