2N6653B
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N6653B
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 188
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 350
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 300
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 7
Courant collecteur maximal (Ic): 12
Température maximale de jonction (Tj), °C: 175
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 25
Capacite collecteur (Cc), pF: 300
Gain en courant DC hFE (hfe): 10
Boitier: TO3
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) 2N6653B
- Fiche technique PDF, Datasheet
4.1. 2n6653.pdf  Size:11K _semelab 4.2. 2n6653.pdf Size:116K _inchange_semiconductor 5.1. 2n6383-85_2n6648-49_2n6650.pdf Size:146K _mospec 5.2. 2n6659.pdf Size:18K _semelab 5.3. 2n6654.pdf Size:12K _semelab 5.4. 2n6655.pdf Size:11K _semelab 5.5. 2n6654.pdf Size:116K _inchange_semiconductor D'autres types de transistors... 2N6649
, 2N665
, 2N6650
, 2N6653
, 2N6653-1
, 2N6653-2
, 2N6653-3
, 2N6653A
, 2N2219
, 2N6654
, 2N6654-1
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, 2N6654A
, 2N6654B
, 2N6655
, 2N6655-1
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