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CXT491E - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Marquage composant: CXT491E

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1.2

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 80

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 60

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5

Courant collecteur maximal (Ic): 1

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 150

Capacite collecteur (Cc), pF: 10

Gain en courant DC hFE (hfe): 200

Boitier: SOT89

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CXT491E PDF:

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CXT491E
CXT491E

CXT491E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT491E type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS

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