CXT591E Répertoire mondial des transistors gratuit

 

CXT591E - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: CXT591E

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1.2

Tension collecteur–base (maximale) Vcb: 80

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 60

Tension émetteur–base (maximale) Veb: 5

Courant collecteur maximal (Ic): 1

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement (fT): 150

Capacite collecteur (Cc), pF: 10

Gain en courant DC hFE (hfe): 200

Boitier: SOT89

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CXT591E Datasheet PDF:

1.1. cxt591e.pdf Size:528K _central

CXT591E
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CXT591E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION: PNP TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS Collect

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