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CXT7820 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: CXT7820

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1.2

Tension collecteur–base (maximale) Vcb: 80

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 60

Tension émetteur–base (maximale) Veb: 5

Courant collecteur maximal (Ic): 1

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement (fT): 150

Capacite collecteur (Cc), pF: 15

Gain en courant DC hFE (hfe): 200

Boitier: SOT89

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CXT7820
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CXT7820 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) DESCRIPTION: PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT7820 is a very low VCE(SAT) PNP transistor designed for applications where electrical and thermal efficiency are prime requirements. Packaged in an industry standard SOT-89 case, this device brings updated electrical specifications and characteristics suita

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