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CTLM3474-M832D - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Marquage composant: CTLM3474-M832D

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN*PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1.65

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 40

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 25

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 6

Courant collecteur maximal (Ic): 1

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 100

Capacite collecteur (Cc), pF: 6

Gain en courant DC hFE (hfe): 100

Boitier: TLM832D

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CTLM3474-M832D PDF:

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CTLM3474-M832D
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CTLM3410-M832D CTLM7410-M832D CTLM3474-M832D www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: DUAL, LOW VCE (SAT) The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM3410- SILICON TRANSISTORS M832D (Dual NPN), CTLM7410-M832D (Dual PNP), and CTLM3474-M832D (Complementary NPN & PNP) are Low VCE(SAT) Transistors packaged in the small, thermally efficient, 3x2mm Tiny Leadless Module (TLM) surface mount case

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CTLM3474-M832D
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CTLM3410-M832D CTLM7410-M832D CTLM3474-M832D www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: DUAL, LOW VCE (SAT) The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM3410-M832D SILICON TRANSISTORS (Dual NPN), CTLM7410-M832D (Dual PNP), and CTLM3474-M832D (Complementary NPN & PNP) are Low VCE(SAT) Transistors packaged in the small, thermally efficient, 3x2mm Tiny Leadless Module (TLM™) surface mount

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