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CTLT8099-M322S - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Marquage composant: CTLT8099-M322S

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1.45

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 80

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 80

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 6

Courant collecteur maximal (Ic): 0.5

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 150

Capacite collecteur (Cc), pF: 6

Gain en courant DC hFE (hfe): 100

Boitier: TLM322S

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CTLT8099-M322S
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CTLT8099-M322S www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT8099-M322S is a silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a low profile, 2x2mm TLM™ surface mount package, designed for general purpose amplification and switching in energy efficient applications. MARKING CODE: 89C APPLICAT

5.1. ctlt853-m833.pdf Size:596K _central

CTLT8099-M322S
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CTLT853-M833 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION: NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT853-M833 is a high performance 6.0A High Current NPN Transistor designed for applications where small size and operational efficiency are prime requirements. With a maximum power dissipation of 4.5W, and a very small package footprint, this device is 80%

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