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CTLT853-M833 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Marquage composant: CTLT853-M833

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 4.5

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 200

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 100

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 6

Courant collecteur maximal (Ic): 6

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 190

Capacite collecteur (Cc), pF: 38

Gain en courant DC hFE (hfe): 100

Boitier: TLM833

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CTLT853-M833
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CTLT853-M833 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION: NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT853-M833 is a high performance 6.0A High Current NPN Transistor designed for applications where small size and operational efficiency are prime requirements. With a maximum power dissipation of 4.5W, and a very small package footprint, this device is 80%

5.1. ctlt8099-m322s.pdf Size:500K _central

CTLT853-M833
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CTLT8099-M322S www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT8099-M322S is a silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a low profile, 2x2mm TLM™ surface mount package, designed for general purpose amplification and switching in energy efficient applications. MARKING CODE: 89C APPLICAT

D'autres types de transistors... RN2609 , CTLM3410-M832D , CTLM3474-M832D , CTLM7410-M832D , CTLT3410-M621 , CTLT5551-M832D , CTLT7410-M621 , CTLT8099-M322S , 8050 , CTLT953-M833 , CTLT953-M833S , CV7723 , CV7723L-O , CV7723-O , CV7724 , CV7724-O , CV7874 .

 


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