2N6689
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N6689
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 175
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 450
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 300
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 7
Courant collecteur maximal (Ic): 15
Température maximale de jonction (Tj), °C: 200
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 15
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 8
Boitier: TO61
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2N6689
) 2N6689
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. 2n6674_2n6675_2n6689_2n6690.pdf  Size:60K _microsemi  |
 | VCE = 400 Vdc, IC = 10 mAdc 2N6675, 2N6690
Clamped Switching
TA = 250C; VCC = 15 Vdc; Load condition B; RBB1 = 5 ?; RBB2 = 1.5 ?;
VBB2 = 5 Vdc; L = 50 µH; R of inductor = .05?; RL = R of inductor. (See Figure 6 of MIL-PRF-19500/537)
Clamp Voltage = 350; I = 10 Adc 2N6674, 2N6689
C
Clamp Voltage = 450; I = 10 Adc 2N6675, 2N6690
C
(4) Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ? 2.0%.
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 120101
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0 |
5.1. 2n6686.pdf Size:11K _semelab 5.2. 2n6687.pdf Size:11K _semelab 5.3. 2n6686.pdf Size:116K _inchange_semiconductor 5.4. 2n6688.pdf Size:116K _inchange_semiconductor 5.5. 2n6687.pdf Size:116K _inchange_semiconductor D'autres types de transistors... 2N6674
, 2N6675
, 2N6676
, 2N6677
, 2N6678
, 2N6686
, 2N6687
, 2N6688
, 2N4401
, 2N669
, 2N6690
, 2N6691
, 2N6692
, 2N6693
, 2N67
, 2N670
, 2N6701
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