Répertoire mondial des transistors gratuit

 

TH560 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Marquage composant: TH560

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 320

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 70

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 35

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 4

Courant collecteur maximal (Ic): 16

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 30

Capacite collecteur (Cc), pF: 450

Gain en courant DC hFE (hfe): 15

Boitier: SOT121

Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor TH560 )

TH560 PDF:

1.1. th560.pdf Size:386K _update

TH560
TH560

SD1730 (TH560) RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS FEATURES SUMMARY Figure 1. Package ■ OPTIMIZED FOR SSB ■ 30 MHz ■ 28 VOLTS ■ IMD –30 dB ■ EFFICIENCY 40% ■ COMMON EMITTER ■ GOLD METALLIZATION ■ POUT = 220 W PEP WITH 12 dB GAIN .500 4L FL (M174) epoxy sealed DESCRIPTION The SD1730 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed prima

D'autres types de transistors... TFNH10 , TG50 , TG51 , TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , BC549 , TH562 , THA15 , THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW .

 


TH560
  TH560
  TH560
  TH560
 
TH560
  TH560
  TH560
  TH560
 

social 

INDEX

Répertoire mondial rassemble environ 100 nouvelles references:

BJT NSVMMUN2235LT1G | NSVMMUN2233LT3G | NSVMMUN2232LT3G | NSVMMUN2232LT1G | NSVMMUN2230LT1G | NSVMMUN2217LT1G | NSVMMUN2212LT1G | NSVMMUN2135LT1G | NSVMMUN2133LT1G | NSVMMUN2132LT1G | NSVMMUN2131LT1G | NSVMMUN2113LT3G | NSVMMUN2112LT1G | NSBA144WF3T5G | NSBA144WF3 | NSBA144WDXV6T1G | NSBA144WDXV6 | NSBA144WDP6T5G | NSBA144WDP6 | NSBA144TF3T5G |

Les mots de moins de 2 lettres (chiffres) sont ignorés lors de la recherché