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TH562 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Marquage composant: TH562

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 233

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 110

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 55

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 4

Courant collecteur maximal (Ic): 20

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 30

Capacite collecteur (Cc), pF: 330

Gain en courant DC hFE (hfe): 15

Boitier: SOT121

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TH562 PDF:

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TH562
TH562

HG RF POWER TRANSISTOR TH562 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR SD1731 (TH562) RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS .OPTIMIZED FOR SSB .30 MHz .50 VOLTS .EFFICIENCY 40% .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P = 220 W PEP WITH 13 dB GAIN OUT .500 4LFL (M174) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1731 TH562 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1

D'autres types de transistors... TG50 , TG51 , TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , TH560 , BC148 , THA15 , THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY .

 


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