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THA42TTD03 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Marquage composant: THA42TTD03

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.15

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 310

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 305

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5

Courant collecteur maximal (Ic): 0.2

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 50

Capacite collecteur (Cc), pF:

Gain en courant DC hFE (hfe): 100

Boitier: WBFBP-03A

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THA42TTD03
THA42TTD03

 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors THA42TTD03 TRANSISTOR C DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03A (1.6×1.6×0.5) TOP unit: mm FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W (Ta=25℃) B E APPLICATION C 1. BASE High Voltage Amplifier 2. EMITTER For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP

D'autres types de transistors... TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , TH560 , TH562 , THA15 , 9013 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY , TSD1760CP , TSD1858CH .

 


THA42TTD03
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