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TSD882S - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: TSD882S

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.625

Tension collecteur–base (maximale) Vcb: 60

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 50

Tension émetteur–base (maximale) Veb: 5

Courant collecteur maximal (Ic): 3

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement (fT): 90

Capacite collecteur (Cc), pF: 45

Gain en courant DC hFE (hfe): 100

Boitier: TO92_SOT89

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TSD882S PDF:

1.1. tsd882s.pdf Size:244K _update

TSD882S
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 TSD882S Low Vcesat NPN Transistor TO-92 SOT-89 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 1. Emitter BVCBO 60V 2. Collector 2. Collector 3. Emitter 3. Base BVCEO 50V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA Features Ordering Information ● Low VCE(SAT) 0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) Part No. Package Packing ● Complementary part with TSB

4.1. tsd882ck.pdf Size:616K _update

TSD882S
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 TSD882 Low Vcesat NPN Transistor TO-126 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCBO 60V 2. Collector 3. Base BVCEO 30V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC=2A, IB=200mA Features Ordering Information ● Low VCE(SAT) 0.3 @ IC=2A, IB=200mA (Typ.) Part No. Package Packing ● Complementary part with TSB772 TSD882CK B0 TO-126 200pcs / Bulk TSD882CK B0G TO-126 200pcs / Bulk

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