2N756
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N756
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: NPN
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.5
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 45
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 45
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 6
Courant collecteur maximal (Ic): 0.1
Température maximale de jonction (Tj), °C: 200
Fréquence maximale de fonctionnement fT: 50
Capacite collecteur (Cc), pF: 8
Gain en courant DC hFE (hfe): 12
Boitier: TO18
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- Fiche technique PDF, DatasheetImpossible de lire les fichiers pdf! D'autres types de transistors... 2N750
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