2N82
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2N82
Matériau utilisé: Ge
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.035
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 20
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 0
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0
Courant collecteur maximal (Ic): 0.015
Température maximale de jonction (Tj), °C:
Fréquence maximale de fonctionnement fT:
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 30
Boitier: R108
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- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. 2n828.pdf  Size:286K _rca D'autres types de transistors... 2N812
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