2N825 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: 2N825

Matériau utilisé: Ge

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.075

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 30

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 20

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 0

Courant collecteur maximal (Ic): 0.2

Température maximale de jonction (Tj), °C: 85

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 2

Capacite collecteur (Cc), pF:

Gain en courant DC hFE (hfe): 30

Boitier: U8

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2N825 - Fiche technique PDF, Datasheet

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