2S109 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: 2S109

Matériau utilisé: Ge

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.035

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 20

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 0

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 1

Courant collecteur maximal (Ic): 0.01

Température maximale de jonction (Tj), °C: 85

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 15

Capacite collecteur (Cc), pF: 3

Gain en courant DC hFE (hfe): 60

Boitier: TO44-1

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2S109 - Fiche technique PDF, Datasheet

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